Анонсированы DDR3L-RS модули памяти на 2 и 4 Гб от Micron

Ещё один участник рынка, компания Micron, объявила о готовности производить свою разновидность памяти для рынка мобильных устройств, представленных сейчас изобилием ультрабуков, смартфонов и планшетных компьютеров.

Новая память, сработанная по 30 нм технологическому процессу, имеет спецификацию DDR3L-RS SDRAM. Компания предлагает ёмкости 2 и 4 Гб.

Среди ключевых особенностей своего продукта компания отмечает не только увеличенное быстродействие, пониженное энергопотребление, но и более конкурентную, в сравнении с другими вендорами, стоимость готового чипа.

В декабре Micron обещает появление модулей другого объёма. Сейчас компания работает над памятью 8 Гб x 16 и 16 Гб x32 DDR3L-RS. Ну и конечно нельзя не упомянуть и о готовящейся к выходу ОЗУ по технологии DDR4-RS. Данную разновидность памяти Micron обещает реализовать в первом квартале 2013 года.

Источник: techpowerup.com