A+ A A-

Обзор, разгон и тест недорогих модулей оперативной памяти DDR3 4Гб Silicon Power SP008GBLTU133V21 (SP004GBLTU133V01 или Nanya M2F4G64CB8HB5N-CG)

  • Обновлено 01.01.2013 20:15
  • Автор: Николай Андрианов (Slayer)

Содержание материала

 

Разгон модулей оперативной памяти DDR3 4Гб Silicon Power SP008GBLTU133V21 (SP004GBLTU133V01 или Nanya M2F4G64CB8HB5N-CG) и достигнутые результаты

 

Расшифровка обозначений на диаграммах:

SEC M378B5273CH0-CH9 (9-9-9-24) 1,5V - DDR3 4Гб SEC M378B5273CH0-CH9
SEC M378B5273CH0-CH9 (7-7-7-21) 1,55V - DDR3 4Гб SEC M378B5273CH0-CH9
Silicon Power SP004GBLTU133V01 1333 (9-9-9-24) - DDR3 4Гб Silicon Power SP004GBLTU133V01
SEC M378B5273CH0-CH9 (10-10-10-30) 1,65V - DDR3 4Гб SEC M378B5273CH0-CH9
KHX2133C9AD3X2K2/4GX 2133 (9-11-9-27) 1,65V - DDR3 Kingston KHX2133C9AD3X2K2/4GX
KHX1600C8D3K2/4GX 2133 (9-9-9-24) 1,65V - DDR3 Kingston KHX1600C8D3K2/4GX

 

Как всегда, сначала мы искали предел возможностей модулей на стандартном напряжении.
К сожалению, модули SP004GBLTU133V01 отказались запускаться на частоте выше номинала, однако заработали с таймингами 8-8-8-22 на частоте 1333МГц и напряжении 1.5В.

Далее, мы повышали напряжение модулей в следующих шагах: 1.5В — 1.55В — 1.6В — 1.625В — 1.65В.
Разгон Silicon Power SP008GBLTU133V21. Частоты
Чипы Nanya M2F4G64CB8HB5N-CG никак не реагировали на повышение напряжения — частотный диапазон не вырос.

При разгоне мы использовали дополнительные тайминги из строчки 609МГц.

В качестве дополнительных источников таймингов, мы использовали два технических документа:
http://www.elixir-memory.com/products/file/Elixir-DDR3-2G-B-UDIMM-R11.pdf
http://www.elixir-memory.com/products/file/Elixir-DDR3-2G-B-UDIMM-R10.pdf

Все это не помогло нам разогнать модули по частоте, даже при использовании тайминогов 10-10-10-30 и 11-11-11-33.

Стабильность системы проверялась прогоном утилиты LinX в 3 прохода при объеме памяти 7168Мб:
Проверка стабильности системы. LinX
Температура чипов оставалась низкой, даже во время тестирования при напряжении 1.65В.

Результаты тестирования производительности модулей оперативной памяти DDR3 4Гб Silicon Power SP008GBLTU133V21 (SP004GBLTU133V01 или Nanya M2F4G64CB8HB5N-CG)

 

SuperPi

Однопоточный тест:
Результаты тестов. SuperPi

Результаты тестов. SuperPi

SiSoftware Sandra 2011c

Пропускная способность:
Результаты тестов. SiSoftware Sandra 2011c

Задержки:
Результаты тестов. SiSoftware Sandra 2011c

MaxxMEM2

Однопоточный тест:
Результаты тестов. MaxxMEM2 Single Thread

Индекс производительности:
Результаты тестов. MaxxMEM2 Single Thread

MaxxMEM2M

Многопоточный тест:
Результаты тестов. MaxxMEM2M Multi Thread

Индекс производительности:
Результаты тестов. MaxxMEM2M Multi Thread

AIDA64

Производительность:
Результаты тестов. AIDA64


Задержки:
Результаты тестов. AIDA64

7-Zip

Результаты тестов. 7-Zip

WinRar

Результаты тестов. WinRar

Вывод

Подошло к концу тестирование модулей «три в одном» - Silicon Power SP008GBLTU133V21, SP004GBLTU133V01 и Nanya M2F4G64CB8HB5N-CG.

В начале двухтысячных чипы Nanya были любимы оверклокерами, однако былая слава ушла.

Протестированные сегодня модули Silicon Power SP008GBLTU133V21, SP004GBLTU133V01 — добротные 1333МГц модули, продающиеся в ките из двух планок и по одной планке в OEM и Retail упаковке.

Главные козыри этих модулей — низкая цена и пятилетняя гарантия, которую можно получить в нормальных магазинах.

Cost Effective by Always More Digital

cost


Благодарим компанию Silicon Power и лично Ульяну Ковалеву за память, предоставленную на тесты

Обсудить обзор в конференции

Комментарии