A+ A A-

STT MRAM прокладывает дорогу в будущее

  • Обновлено 01.01.2013 20:15
  • Автор: Николай Андрианов (Slayer)

Сейчас можно с уверенностью сказать, что новости в какой-то степени правят миром. Большинство из нас интересуют экономические новости, многие не прочь почитать новости спорта, а кто-то живо изучает новости hitech или hardware. Добрая половина человечества просто не представляет свою жизнь без потока информации.

И коль уж зашел разговор о новостях на тему «hitech/hardware», поговорим об этом подробнее. Не так давно, специалисты университета города Торонто занялись разработкой первого высоконадежного способа чтения, применяемого для магнитной памяти. Примечательно то, что данный способ чтения обладает произвольным доступом и в нем применяется эффект передачи спина.


Не так давно газеты всего мира сообщили о том, что флэш-память типа NOR, используемая в современной электронике, очень скоро может быть миниатюризована. Следовательно, и другие технологии должны быть пересмотрены. В настоящее время создание памяти типа STT MRAM является одним из самых перспективных направлений работ в области создания потенциального преемника флэш-памяти. Память типа STT MRAM будет обладать рядом преимуществ. Это и высокое быстродействие и малое энергопотребление и миниатюризация. Каков же принцип хранения информации в ячейке STT MRAM? Он основан на изменениях путей намагниченности, происходящих в результате прохождения электрического заряда через магнитный материал. Материал, в свою очередь может пребывать в двух состояниях. Первое  соответствует большому сопротивлению участка, второе – малому. Собственно говоря, на этом принципе и основано хранение информации.


Для того чтобы прочесть информацию к элементу STT MRAM прикладывается напряжение, служащее для оценки сопротивления. В случае если к ячейке будет приложено довольно высокое значение напряжения, это вызывает протекания тока. А протекание тока приводит к некоторым изменениям в состоянии ячейки. Проще говоря, одно из самых основных препятствий, замедляющих создание STT MRAM – очень маленькая амплитуда тока записи и тока чтения. К чему это может привести? Во-первых, неизбежными могут стать ошибки при чтении информации, а во-вторых, вместо записи информации, вы можете произвести ее чтение и, наоборот.


Но специалистам университета Торонто все-таки удалось найти выход из данной ситуации. Они обошли стороной препятствие, и нашли способ практического применения STT MRAM. Итак, в чем суть разработки, проведенной специалистами Торонто? А все гораздо проще, чем, кажется на первый взгляд. Ток пропускается по параллельной цепи, а не по основной, как это делалось ранее. Именно это дает возможность беспрепятственно считывать информацию и при этом риск выполнить ошибочную запись полностью отсутствует.


Так что, похоже, в скором будущем у нас появится уникальная возможность пользоваться STT MRAM, обладающей рядом существенных преимуществ, о которых мы уже говорили, по сравнению с другими типами флэш-памяти. И этим мы обязаны специалистам университета города Торонто.

Комментарии