SK Hynix готова производить память DDR4 плотностью 128 Гб

Компания SK Hynix стала первым в мире разработчиком, сумевшим изготовить модуль памяти DDR4 объёмом 128 Гб. При этом компания использовала новый техпроцесс класса 20-нм.

До настоящего времени максимальный объём одного модуля памяти DDR4 был равен 64 Гб. Добиться удвоения результатов компания смогла при помощи технологии TSV. Сообщается, что пропускная способность новой памяти составит 2133 Мбит/с на один разряд, а принимая во внимание количество разрядов (64), несложно посчитать, что итоговая пропускная способность памяти будет равна 17 Гб/с.

Память работает на ультранизком напряжении 1,2 В.

В продажу новая память поступит в первой половине 2015 года. Компания ожидает, что модули на 128 Гб будут востребованы, прежде всего, на серверном рынке.

Источник: techpowerup.com