A+ A A-

Samsung начинает выпуск трехмерной NAND-памяти

  • Обновлено 09.08.2013 18:23
  • Автор: Алексей Попов

Компания Samsung Electronics объявляет о начале массового производства первой в индустрии NAND флэш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями.

Samsung V-NAND

«Новая технология 3D V-NAND является результатом многолетних разработок наших специалистов. Целью Samsung было выйти за рамки традиционных способов мышления и преодолеть существующие ограничения в создании упаковки полупроводниковой памяти с помощью инновационных решений, – говорит Чжон-Хек Чой (Jeong-Hyuk Choi), старший вице-президент направления флэш-памяти и технологий компании Samsung Electronics. – Наряду с запуском производства первой в мире 3D V-NAND флэш-памяти мы продолжим представлять новые 3D V-NAND устройства с улучшенной производительностью и более высокой плотностью. Это поспособствует дальнейшему росту мировой индустрии продуктов памяти».

Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флэш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.

Комментарии