Samsung начала производство памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит

Компания Samsung первой в мире начала производство оперативной памяти 20нм класса стандарта LPDDR4 плотностью 8 Гбит, предназначенной для установки, преимущественно, в мобильные устройства.

По сравнению с памятью DDR3, новая память показывает вдвое большую скорость передачи (3200 Мбит/с) и удвоенную плотность на единицу площади. При аналогичных размерах кристалла один чип LPDDR4 вмещает 4 Гб, тогда как такая же микросхема LPDDR3 несёт объём, равный 2 Гб.

Ещё одним неоспоримым плюсом новой памяти считается сниженное энергопотребление. В микросхемах LPDDR4 оно на 40% меньше, чем у памяти предыдущего поколения. Напряжение питания LPDDR4 - 1,1 В. Немалую толику в экономии энергии оказала и фирменная технология Samsung LVSTL (low-voltage swing-terminated logic).

Компания уже приступила к производству модулей памяти объёмом 2 Гб и 3 Гб, в которых используются кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит и 6 Гбит. К производству Памяти объёмом 4 Гб Samsung планирует приступить в начале 2015 года.

Источник: techpowerup.com