A+ A A-

Samsung начала массовое производство 2ГБ модулей памяти с 30нм чипами

  • Обновлено 01.01.2013 20:15

Представленные ранее в этом году, 2ГБ модули оперативной DDR3 памяти Samsung, произведенные с 30нм технологией, поступили в массовое производство. Более быстрая и энергоэффективная память память предназначена для серверов нового поколения, оптимизированных для "облачных" вычислений и виртуализации.

Samsung 30nm 2Gb DDR3 DRAM

30нм DDR3 память Samsung может функционировать на частоте 1866МГц и при напряжении @ 1.35В или на 2133МГц при @ 1.5В. Они будут использоваться, скорее всего, в настольных ПК, ноутбуках, серверах, нетбуках и мобильных устройствах. Новые модули способны работать на 60% быстрее, чем предыдущие, с 50нм чипами, потребляя при этом на 65% меньше энергии.

По словам компании, в последнее время спрос на чипы DDR3 резко возрос, и компания намерена удовлетворить потребности рынка. Новые, более экологически безопасные 30нм DDR3 DRAM модули памяти смогут предоставить пользователям максимум доступных возможностей при низком уровне энергопотребления для ПК и серверов, построенных на платформе с многоядерными процессорами.

Однако, компания не собирается далее "почивать на лаврах" и уже разрабатывает новые применения 30нм чипов, а именно 4ГБ модули оперативной памяти, которые должны появиться уже к концу этого года.

Комментарии