A+ A A-

Разработан конкурент flash-памяти с ресурсов 100 млн. циклов перезаписи

  • Обновлено 11.12.2013 23:18
  • Автор: Евгений Мамонов

Организация Low-power Electronics Association & Project (LEAP) и японский университет Цукуба объявили о разработке нового типа постоянной памяти, в основу которой была положена известная технология фазового перехода (phase-change memory).

Работы по созданию памяти на основе фазового перехода ведутся с 1970 года, однако добиться успешных, с коммерческой точки зрения, решений пока не удаётся.

По сообщению источника, новая память выгодно отличается от предыдущих разработок. При её создании использовались те же металлы (Германий, Теллур и Сурьма), но в новой компоновке. Фазовый переход достигается благодаря перемещению ионов Германия, вызванному инжекцией электронов.

Данная память не боится нагрева, потребляет на 90% меньше энергии в режиме записи, а также имеет меньшее время доступа к информации. При этом количество циклов перезаписи в одну ячейку составляет более 100 млн.

Первое появление накопителей на основе новой памяти ожидается не ранее 2018 года.

Источник: techon.nikkeibp.co.jp

Комментарии