A+ A A-

Поставки жестких дисков на основе технологии SMR достигли объема в один миллион единиц

  • Обновлено 25.09.2013 18:29
  • Автор: Алексей Попов

Компания Seagate Technology сообщила о том, что поставки дисков на основе технологии магнитной записи Shingled Magnetic Recording (SMR) достигли объема в один миллион единиц. SMR – это следующее поколение технологий хранения, которое играет решающую роль в увеличении плотности записи (объем данных, который можно хранить на одном диске), что важно в условиях постоянного развития облачных и мобильных решений. Активизация использования технологии записи SMR должна, как ожидается, добиться увеличения емкости накопителей на 25%.

Благодаря технологии SMR, Seagate обладает возможностью повысить плотность записи на 25%, что составит 1,25 Тбайт на пластину, то есть таким образом, жесткие диски будут отличаться самой низкой стоимостью за гигабайт и потенциальной емкостью более 5 Тбайт.

Последний переход на новую технологию записи – перпендикулярную магнитную запись – способствовал увеличению плотности записи за счет перпендикулярного расположения бит, что, в свою очередь сузило дорожки на пластинах и головки чтения/записи. Но из-за физических ограничений головки чтения/записи не могут еще значительней уменьшиться в размерах. Самый надежный способ повышения плотности записи – это изменить способ записи данных на диск.

Именно в такой момент в игру вступает технология SMR. Она изменяет способ хранения данных на диске за счет совмещения дорожек, подобно черепице на крыше, что увеличивает плотность дорожек и, следовательно, плотность записи. В результате увеличенной плотности дорожек количество хранящихся на одном диске данных увеличивается, также, как и общая емкость одного диска.

Важно отметить, что технология SMR может увеличить надежность жестких дисков, уменьшая количество головок и пластин. SMR также является выгодным решением, так как производители могут использовать те же пластины и головки, что и раньше, то есть, увеличивать емкость накопителей при сохранении существующей конструкции накопителей.

Комментарии