A+ A A-

Некоторые подробности о 25нм SSD от Intel

  • Обновлено 01.01.2013 20:15

Intel работает над третьим поколением твердотельных накопителей уже довольно продолжительное время . Напомним, что предстоящие новинки будут построены на базе 25нм NAND MLC чипов, что должно обеспечить заметный прирост скорости записи и чтения по сравнению с предыдущим поколением.

Сегодня один из сетевых ресурсов компьютерной тематики, а точнее Anandtech, опубликовал некоторые подробности о новых SSD накопителях, и нам будет весьма интересно понаблюдать за конкурентной борьбой на рынке носителей информации.

Серия твердотельных накопителей от Intel под названием G3 унаследовала схему именования моделей в зависимости от назначения. X25-M будут предназначены на для потребителя, а X25-E для промышленных целей. Линейка X25-M будет представлена в вариантах с 1.8 и 2.5-дюймовым форм-фактором, и разница между ними заключается лишь во вместимости самых старших моделей, 300ГБ и 600ГБ соответственно. Самый дорогой вариант модельного ряда X25-E сможет вместить 400ГБ информации.

Самым существенным отличием от предыдущего поколения станет наличие контроллера DRAM. Intel утверждает, что им удалось создать "энергонезависимый кэш для записи", что делает устройства похожими на внешние DRAM носители. Еще одним новшеством станет появление поддержки AES-128 шифрования.

X25-M будет способна обеспечить скорость чтения/записи равную 250 и 170МБ/с, и скорость записи 4 тысях случайных чисел будет равна 40,000 IOPS (операций ввода-вывода) для записи и 50,000 IOPS для чтения.

Линейка X25-E, получившая кодовое имя Lyndonville, построена в свою очередь на 25нм eMLC NAND чипах и будет представлена в вариантах по 100, 200 и 400ГБ. Скорость записи составила 200МБ/с, а чтения 250МБ/с, что немного больше, чем у потребительской серии.

Устройства должны поступить в продажу в четвертом квартале 2010 года.

Комментарии