A+ A A-

На Flash Memory Summit Samsung представила четвертое поколение памяти V-NAND

  • Обновлено 12.08.2016 12:57
  • Автор: Евгений Мамонов

На мероприятии Flash Memory Summit южнокорейская Samsung привезла четвертое поколение флеш-памяти V-NAND, выполненной по технологии объемной компоновки. По сравнению с памятью аналогичного типа, новая память V-NAND получила на 30% больше слоев, что позволит изготавливать на ее основе SSD еще большего объема.

Одна ячейка 64-слойной памяти V-NAND хранит три бита информации, а плотность одного кристалла достигла значения 512 Гбит. При этом скорость передачи данных составляет 800 Мб/с. Samsung обещает, но новая память будет использоваться производителями в готовых изделиях уже в четвертом квартале текущего года.

Само собой, не обошлось без демонстрации. Samsung показала накопитель на основе новой памяти собственного производства. Модель выполнена в типоразмерах 2,5-дюйма и имеет объем 32 Тб. Для обмена данными с внешним миром используется интерфейс SAS. Для сборки этого накопителя потребовалось 512 микросхем новой памяти.

А уже в 2020 году Samsung рассчитывает выпустить SSD-накопитель емкостью 100 Тб.

Источник: Samsung

Комментарии