A+ A A-

Samsung разработала микросхемы памяти плотностью 12 Гбит

  • Обновлено 10.09.2015 16:00
  • Автор: Евгений Мамонов

Вчера Samsung объявила о запуске в производство новых микросхем памяти плотностью 12 Гбит. Подобная плотность позволит уже в конце этого года создавать смартфоны с объёмом ОЗУ равным 6 Гб.

Новая LPDDR4-память изготовлена по технологическим нормам 20-нм класса, имеет на 20% меньше энергопотребление и может передавать данные со скоростью 4266 Мбит/с на контакт, что на 30% быстрее памяти предыдущего типа.

samsung memory

Samsung надеется, что новая память будет востребована не только в смартфонах и планшетах, но и в микрокомпьютерах и разнообразной бытовой электронике. Появление первых устройств с объёмом оперативной памяти 6 Гб ожидается либо в конце 2015, либо в начале 2016.

Источник: phonearena.com

Комментарии