• Опубликовано:

Samsung разработала для смартфонов модуль флеш-памяти емкостью 512 Гбайт

Samsung анонсировала готовность к производству модулей памяти для смартфонов нового поколения. В данных модулях используется память стандарта eUFS, а максимальный объем достигает 512 Гбайт. Тип памяти — V-NAND, количество слоев — 64. При этом важно понимать, что цельный модуль состоит из восьми кристаллов по 512 Гбит каждый, что в сумме и дает емкость 512 Гбайт.

Samsung 512GB memory

Важно то, что Samsung разработала не только саму память, но также и контроллер, и различные механизмы и технологии, позволяющие добиться оптимизации энергопотребления и производительности в конкретном устройстве. Скорость последовательного чтения в новых модулях достигает860 Мбайт/с, записи — 255 Мбайт/с. Число операций IOPS на чтение и запись достигает 42 000 и 40 000, соответственно.

Новые микросхемы памяти будут доступны уже в ближайшее время. Их появление во флагманских смартфонах ожидается в 2018 году.

Источник: gsmarena.com