• Опубликовано:

Qualcomm раскрыла подробности о SoC Snapdragon 835

Первые подробности о новом мобильном процессоре QSD 835 появились еще осенью, но только на выставке CES 2017, проходящей в настоящий момент в Лас-Вегасе, SoC была представлена официально.

Итак, в основу SoC легла 10-нм технология Samsung FinFET 3D. Главное, что должно привлечь потенциальных заказчиков, это увеличившаяся на 20% производительность по сравнению с SoC QSD 821. CPU-ядра Kyro 280 (архитектура ARM Cortex) в QSD 835 сгруппированы в два кластера по четыре ядра: первый работает на тактовой частоте 2,45 ГГц, второй — 1,8 ГГц. При этом первый кластер имеет кэш-память 2 Мб, второй — 1 Мб.

Qualcomm Snapdragon 835

В отношении энергоэффективности QSD 835 сравнили с чипом QSD 821, озвучив прирост этого показателя на 55%. Кстати было сказано, что 80% времени чип работает с энергоэффективными ядрами.

Qualcomm установила в чип GPU Adreno 540, обладающую на 25% большей производительностью, чем прошлый GPU. Поддерживается DirectX 12. Также есть поддержка процессора DSP Qualcomm Hexagon, улучшающего взаимодействие с виртуальной реальностью. Также стоит упомянуть встроенный модем X16 со скоростью downlink до 1 Гбит/с. Между прочим, скоро в SoC Qualcomm появится встроенная поддержка 5G, которая уже почти готова.

Выход смартфонов на QSD 835 ожидается в первом квартале 2017 года.

Источник: ubergizmo.com