A+ A A-

Плотность LPDDR3 памяти производства Hynix будет равна 1 Гб на чип

  • Обновлено 12.06.2013 00:50
  • Автор: Евгений Мамонов

В начале мая компания Samsung приступила к производству энергоэффективных чипов памяти LPDDR3, изготавливаемых по 20-нм техпроцессу и предназначенных для установки в мобильные устройства.

lpddr3 memory chips with 1 gb density

Сейчас типичный объём ОЗУ в мобильных гаджетах средней и высшей ценовой категории составляет 2 Гб. Для достижения такого объёма используются четыре микросхемы памяти, плотностью 512 Мб каждая.

Компания Hynix готова изменить сложившуюся картину. Её инженерам удалось добиться удвоения объёма LPDDR3 памяти на чип при сохранении того же техпроцесса. При этом скорость передачи данных новой памяти составит 2,133 Гбит/с (1,6 Гбит/с у Samsung). Сверх того, новые чипы будут иметь меньшие размеры и потреблять меньше энергии.

Первые образцы мобильных гаджетов с 4 Гб памяти, вероятно, появятся либо в конце этого, либо в начале следующего года. Однако ещё более интересные устройства, поддерживающие работу с памятью более 4 Гб на уровне процессора, поступят в продажу в средине следующего года (после появления ARM Cortex-A12).

Источник: engadget.com

Комментарии