A+ A A-

Объём ОЗУ в смартфонах вырастет до 1 Тб?

  • Обновлено 25.07.2014 19:08
  • Автор: Евгений Мамонов

Исследователи из университета Райса (Хьюстон, Техас, США) продемонстрировали рабочий прототип оперативной памяти будущего, которая, возможно, через несколько лет будет использоваться в смартфонах, планшетах и мобильных компьютерах.

Резистивная память с произвольным доступом (RRAM) позволит увеличить объём ОЗУ смартфона в несколько десятков и даже сотен раз. Данный тип памяти не новость для мира высоких технологий. Однако на настоящий момент модули RRAM дороги и непрактичны в эксплуатации. Всё дело в том, что для работы памяти такого типа требуются высокие температуры и напряжения.

Учёным из университета Райса удалось обойти эти ограничения. Показанный ими прототип новой памяти работает при комнатной температуре и не требует большого напряжения. Достичь таких результатов помог материал - пористый оксид кремния.

Новые ячейки памяти не расходуют энергию при хранении, они более надёжны, в них можно записать до 9 бит данных, а скорость записи и чтения у них в сто раз больше, чем у существующей сейчас на рынке памяти NAND-flash.

Показанный учёными прототип размерами с почтовую марку имеет ёмкость 1 Тб.

Источник: technologyreview.com

Комментарии