A+ A A-

Samsung анонсировала 10нм память для мобильных устройств

  • Обновлено 01.01.2013 20:15

Корейский гигант объявил спецификации чипов мобильной NAND памяти. Память будет производиться по 10нм процессу и обеспечит заметную прибавку в производительности мобильным устройствам.

Samsung анонсировала десяти нанометровую память для мобильных устройств

Переход к более тонкому производству чипов позволит сократить их физические размеры на 20% по сравнению с памятью, производящейся по нормам 20нм техпроцесса. Размеры уменьшатся с 12мм x 16мм до 11,5 мм x 13мм.

Как заявлено, производительность возрастёт на треть. Скорость записи будет достигать 50 Мб/с, скорость чтения возрастёт до внушительных 260 Мб/с. Это почти в 10 раз быстрее, чем внешняя флеш память 10 класса, которая обладает скоростью в 12 МБ/с и 24 Мб/с для чтения и записи соответственно.

Память будет устанавливаться в смартфоны и тонкие планшеты. Увеличение производительности памяти в подобных устройствах позволит пользователям работать с контентом более высокого разрешения и просто повысить отзывчивость интерфейса. Чипы начали производиться в конце прошлого месяца, ожидать устройства с этими чипами следует в начале следующего года.

Источник: www.engadget.com

Комментарии